Аннотация
В экситонных областях фотолюминесценции эпитаксиальных пленках ZnSe/GaAs определены изменение максимумы, полосы соответствующие 500 нм и 560-580 нм, связанные переходами на DA парах, а так же полосы I1=2.48 еВ(500 нм), I2=2.21еВ(550 нм). Полосе I2 приписывают переход, связанный с собственными дефектами в ЭС. Показано, что остаточные напряжения, обусловленные неполной релаксацией параметра решетки пленки к его равновесному значению при температуре роста, также вносят определенный вклад. Положение линии локализованного на нейтральном акцептре (As) экситона хорошо описывается в рамках существующих моделей, учитывающих напряжения, величина которых вычислена на основе значения ∆Еехс..