Ключевые слова
Аннотация
Представлены результаты выращивания эпитаксиальных слоев кремния, легированных эрбием, с использованием двух различных режимов роста: традиционной молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) и твердофазной эпитаксии (ТФЭ).
Показано, что слой кремния, легированный эрбием, нанесенный методом ТФЭ на холодную подложку и подвергнутый последующему отжигу, проявляет более интенсивную фотолюминесценцию на длине волны 1,54 мкм, чем слои, выращенные методом МЛЭ.
Библиографические ссылки
N.A. Sobolev. FTP29, 1153 (1995).
A. Polman. J. Appl. Phys. 82, 1 (1997).
Y. Ho Xie, E. A. Fitzgerald, Y.J. Mii. J. Appl. Phys.70, 1153 (1991).
H. Efeoglu, J.H. Evans, T.E. Jackmann et al. Semicond. Sci. Technol.8, 236 (1993).
R. Serna, M. Lohmeier et al. Appl. Phys. Lett.66, 1385 (1995).
V.G. Zavodiskii, A.V. Zotov. Phys. Stat. Sol.(a). 72, 391 (1982).
S.P. Svetlov, V.Yu. Chalkov, V.G. Shengurov. PTE4, 141 (2000).
H. Przybylinska et al. Phys. Rev. B54, 2532 (1996).
I.G. Kaverina, V.V. Korobtsov, V.G. Lifshits. Thin Sold Films 177, 101 (1984).
C.W. Nogee, J.C. Bean, C. Foti, J.M. Poate. Thin Sold Films 81.1(1981).