Keywords
Abstract
Надежность полупроводниковых приборов прежде всего существенно определяется степенью совершенства исходного материала в тоже время, и очень сильно зависит от используемых методов технологической обработки. Нередка наблюдается, что большие по амплитуде скачка тока соответствующие двум или более одно временно включающимся микроплазм при изменении температуры p-n перехода раздельяются на два маленких скачка и, наборот, - два маленких скачка сливаются в одни большой скачок.
Это указывает на то, что две микроплазм в олном и томже p-n переходе, появляющихся при одном и том же напряжении, имеют температурные коэффициенты напряжения пробоя.
References
McInture R.J.//J.Appl.1961. V.32.N.6.P.983-995.
Haiz.R.J.//J.Appl.Phys.1964.V. 35. N5. P .1370-1376
Аладинский В.К. //ФТП.1972. Т.6.В.11.С.2034-2041.
N. F. Neve, K. A. Hyqes, R. R. Thornton Scanning electron microcope as a means of studying microplasmas athiqh resolution. -J. Appl. phys., 1966, v.37, N4, p.1704-1709
М. Б. Тагаев, А.И.Шкребтий. Исследование температурных особенностей микроплазменного пробоя в арсенидгаллиевых лавинно пролетных диодах- Сборник научных трудов НГУ, г.Нукус, 1987, с. 54-58.
А. И. Шкребтий, М. Б. Тагаев, С. И. Глушенко. Методика неразрушающего контроля параметров и прогнозирование надежности кремниевых стабилитронов. -IV-отраслевой семинар. Аналитические методы исследования материалов и изделии микроэлектроники, г.Запарожье, 1987, с.30.
А. И. Шкребтий, М. Б. Тагаев, С. И. Глушенко. Методика неразрушающего контроля параметров и прогнозирование надежности кремниевых стабилитронов. -IV-отраслевой семинар. Аналитические методы исследо- вания материалов и изделии микроэлектроники, г. Запарожье, 1987, с.30.
Тагаев М. Б. Влияние внешних воздействий на электричские свой- ства пространственнно-неоднородных диодных структур докторская диссертации, 2001 г. С. 230.