Ключевые слова
Аннотация
В работе исследовалось фотолюминесцентные свойства эпитаксиального пленки арсенида галлия GaAs после уменьшения (механическое шлифование, механическое полирование, химическое травление) толщины с разными методами. Определено возможность многофононной релаксации горячих электронов, образующихся при оптическом возбуждении путем обмена энергии этих электронов с барьерным слоем и с испусканием LO-фононов (каскадный механизм) в гетеросистеме с квантово-размерными слоями на основе ZnTe/GaAs.
Библиографические ссылки
J. M. O'Connor, E. F. Dvorsky, H. S. Hier, and W. P. Rief, J. Electrochem. Soc. 135, 190 (1988).
R. Knight, D. Effer. and P. R. Evans, Solid-Stale Electron. 8, 178 (1965).
V. P. Klad'ko, Т. G. Kryshtab, G. N. Semenova, L, S. Khazan, and 0.
S. Bashevskaya, Fii. Tverd. Tela (Leningrad) 33, 3192 (1991).
A. W. R. Leitch and H. L. Ehlers, Infrared Phys. 28, 433 (1988).
Шарибаев М.Б.., Исмайлов Қ.А.,. Радиационно–стимулированная релаксация напряжений в квантово–размерных структурах// УФЖ 2010., № 3. С. 147-150.6.
Sharibaev M. Determination by the method of photoluminescence of extended defects in ZnTe / GaAs epitaxial captures. Journal. Physics of semiconductors and microelectronics. №4., P. 214-216., 2020 g