ОПРЕДЕЛЕНИЕ РЕЛАКСАЦИОННЫХ ПРОЦЕССОВ МЕТОДОМ ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ В КВАНТОВО-РАЗМЕРНЫХ СТРУКТУРАХ CDXZN1-XTE ZNTE/GAAS
Том 2 № 3 (2025), Статьи
Том 2 № 3 (2025)

ОПРЕДЕЛЕНИЕ РЕЛАКСАЦИОННЫХ ПРОЦЕССОВ МЕТОДОМ ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ В КВАНТОВО-РАЗМЕРНЫХ СТРУКТУРАХ CDXZN1-XTE ZNTE/GAAS

Статьи
Опубликован 2025-03-18
  • М.Б. Шарибаев
  • Қ. Көшкинбаева
  • А. Шамуратова
М.Б. Шарибаев
Қ. Көшкинбаева
А. Шамуратова
pdf (English)

Ключевые слова

Квантово-размерные структуры, протяженные дефекты, фотолюминесценция, температурные зависимости.

Аннотация

С воздействием электронного и рентгеновского облучениях в буферных слоях квантово-размерных структур CdxZn1-xTe/ZnTe/GaAs определено изменение оптических характеристик. Определены изменение максимумы, полосы соответствующие 500 нм и 560-580 нм, связанные переходами на DA парах, а так же полосы I1=2.48 еВ(500 нм), I2=2.21еВ(550 нм). Полосе I2 приписывают переход, связанный с собственными дефектами в ЭС.

pdf (English)

Библиографические ссылки

Иванов С.В., Торопов А.А., Сорокин С.В. и др.//ФТП.-2012.-Т.32.-С. 1272.

Басов М.Г., Дианов Е.М., Козловский В.И. и др.// Квантовая электроника.-2013.-Т.22.-С.756.

J.O. Williams, A.C. Wright, H.M. Yates, “High resolution and conventional transmission electron microscopy in the characterization of thin films and interfaces involving II-VI materials”, J.Cryst.Growth, 1992, v.117, No, pp.441-453.

W. Kuhn, H.P. Wagner, H. Stanzl, K. Wolf, K. Worle, S. Lankes, J. Bertz, M. Worz, D. Lichtenberger, H. Leiderer, W. Gebhardt, R. Tribolet, “The MOVPE growth and doping of ZnTe”, Semicond. Sci. Technol., 2016, v.6, No9A, pp.A105-A108.

M.A. Fload, M. Watt, A.P. Smart, C.M. Sotomayor Torres, C.D. Wilkinson, W. Kuhn, H.P. Wagner, S. Bauer, H. Leiderer, W. Gebhardt, “High-resolution dry etching of zinc telluride: characterization of etched surfaces by X-ray photoelectron spectroscopy, photoluminescence and Raman Scattering”, Semicond. Sci. Technol., 2019, v.6, №6A, pp.A115-A122.